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采用低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu) 紅旗新能源碳化硅功率芯片完成首次流片

作者:森林 2024-10-24 15:56:36 來源:新能源汽車網(wǎng)

  日前,由紅旗研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部自主設(shè)計(jì)的碳化硅功率芯片完成首次流片。標(biāo)志著紅旗研發(fā)已初步建立支撐高性能電動(dòng)汽車開發(fā)的碳化硅功率芯片設(shè)計(jì)能力,并成功將半導(dǎo)體行業(yè)的Fabless(無晶圓廠)合作模式引入汽車產(chǎn)品開發(fā)實(shí)踐。

紅旗新能源

  據(jù)介紹,該款碳化硅功率芯片從產(chǎn)品核心指標(biāo)定義、襯底與外延材料選擇、元胞結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、動(dòng)靜態(tài)性能仿真、工藝仿真、版圖設(shè)計(jì)、晶圓流片到晶圓封測,實(shí)現(xiàn)全鏈條主導(dǎo)開發(fā),標(biāo)志著紅旗車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片開發(fā)能力大幅提升。

  該款芯片聚焦整車電驅(qū)動(dòng)、智慧補(bǔ)能、車載電源、高壓配電、電動(dòng)化底盤等系統(tǒng)應(yīng)用需求,創(chuàng)新采用低導(dǎo)通電阻元胞結(jié)構(gòu)、高元胞密度版圖、高可靠性終端結(jié)構(gòu)及片上柵極電阻集成技術(shù),實(shí)現(xiàn)擊穿電壓超過1200V,導(dǎo)通電阻小于15mΩ。

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